| ヘリコンスパッタ成膜装置 |
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ヘリコンスパッタカソードにより低圧で薄膜を作製します。2元同時スパッタや積層膜の作製が可能です。
日本真空技術㈱製 MPS-2000-HC3
到達真空度：1.3×10-6
Pa
基板加熱機構：最高1000℃
ターゲット：φ2inch×2
RHEED機構，ロードロック室付属
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| 真空蒸着装置 |
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真空中で金属を加熱蒸発させ，それを基板上に堆積させることで薄膜を作製することができます。また真空中に微量のガス(酸素や窒素）を導入することで，酸化物や窒化物などセラミックス薄膜の作製も可能です。
神港精機(株)製 JES-EB1000
到達真空度：1.3×10-3
Pa
基板加熱機構：最高700℃
蒸発源：電子線加熱２基，抵抗加熱3基
ガス導入機構：２系統
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| スパッタ製膜装置 |
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大面積の薄膜を高速で成膜することが可能です。4種類のターゲットが装着可能であり，多層膜の作製にも威力を発揮します。また，ガス導入により反応性スパッタも行えます。
(株)徳田製作所製 CFS-8EP
ターゲット：5インチサイズ 4基
放電方式：DCマグネトロン／RFマグネトロンの切替可
到達真空度：1.3×10-4
Pa
基板加熱機構：最高200℃
ガス導入機構：1系統
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| 粉末Ｘ線回折装置（ＸＲＤ） |
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ローター式のターゲットからの強力なＸ線と4軸の多目的試料台を用いた測定により，粉末，バルク，薄膜試料の結晶構造，配向性，歪みを精度良く解析できます。得られたデータとJCPDSデータベースとの比較・参照が可能です。
㈱リガク製 RINT
2500HF/PC＋多目的試料台
最大出力：18
kW
ターゲット：Cu
測定角度範囲（横型ゴニオ）：-60°～158°
最小ステップ：0.001°
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| 原子間力顕微鏡（ＡＦＭ） |
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ナノオーダーで試料の表面構造および磁気構造が観察できます。大気中での測定に加えて，高真空中での測定も可能です。
日本分光㈱製 JSPM-4610
分解能：0.2
nm×0.2nm×0.01 nm
走査範囲：20
?m×20 ?m×2.0 ?m
測定モード：コンタクト，ノンコンタクト，タッピング，フェーズ，フリクション，マグネティック
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| 電磁波吸収測定装置（ネットワークアナライザー） |
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高周波に対する材料の反射および透過係数（Ｓパラメータ）を測定することで，材料定数（透磁率，誘電率）を算出します。得られた材料定数を基に，材料の電磁波吸収特性を評価します。
アジレントテクノロジー㈱製 HP8720D
測定周波数範囲：50 MHz～20 GHz
周波数分解能：1
Hz
ダイナミックレンジ：100 dB
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| 試料振動式磁力計（ＶＳＭ) |
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粉末，バルク，薄膜試料の磁化を広い温度，磁場範囲にわたり測定します。また，印加磁場の方向を変えることで，磁気異方性も評価できます。
東英工業㈱製 VSM-15
最大磁場：15
kOe
測定温度範囲：4.2～1173
K
測定感度：
1.0×10-5 emu
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| 電気特性・ホール係数測定装置 |
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Van der Pauw法により，電気抵抗，キャリア濃度や移動度を測定することができます。
交流磁場法により，高抵抗/低移動度の材料の測定も可能です。
東陽テクニカ製ResiTest8320
最大磁場：0.7T
測定温度：4.2K～325K，室温～500℃
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| 顕微ラマン分光装置 |
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局所的な構造に関する情報を得ることができます。
顕微プローブを用いることで，微小領域の測定も可能です。
Jobin Yvon製T-64000
レーザー：Ar 514.5nm
出力：100mW
分光器：シングル、トリプル切替
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| 熱分析装置（TG/DTA） |
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様々な雰囲気下での示差熱と重量変化が同時に測定できます。
差動型であるため、微小な重量変化を精度よく測定できます。
リガク製TG8120
測定温度：室温～1500℃
昇温速度：最大100℃/min
分解能：0.1μg
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| メスバウア分析装置 |
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